学术报告(王启胜 20190522)
发布时间:2019-05-16 浏览次数:

题目: 混合维度范德华异质结光电信息器件

摘要: 基于SiPbSHgxCd1-xTeGaAs/Al1-xGaxAs量子阱和InAs/Ga1-xInxSb超晶格等材料的光电探测与成像器件已广泛应用于国防与航空,工业自动化,光纤通讯,天文探测,健康医疗,安全监控和环境监测等行业。然而,传统光电材料制备技术、器件性能和功能等难以满足光电信息技术迅速发展需求。该报告围绕新型二维半导体/IV-VI半导体异质结,开展了高品质、新功能和新物理的光电信息器件研究。首先提出了一种普适性生长原理,应用于制备硅基兼容红外半导体二维结构及其阵列;基于该原理,设计了一种通用型策略,成功解决二维材料异质结界面普遍存在的范德华势垒问题,显著提高二维材料异质结光电响应性能;最后,进一步提出了一种工作于光纤通讯波段非易失性、可编程的二维材料异质结光电存储器件;该系列工作为传统光电半导体的制备技术提出了新的技术途径,并提供了一类高性能的红外探测器件和全新的光信息数据记录与加工技术。

报告时间:2019-5-22900(星期三上午)

报告地点:实验大楼 103

报告人简介:

王启胜,中国科学院大学凝聚态物理专业博士毕业,2016 2月至20194月于新加坡国立大学电子与计算工程系从事博士后研究;20195月至今为华南师范大学半导体科学技术研究院研究员。获得过华南师范大学“青年拔尖人才”,博士研究生国家奖学金,宝洁优秀研究生奖学金,中国科学院大学三好学生标兵等荣誉称号。研究领域:新型光电信息材料与器件。主要学术成果:首创一种普适性生长方法,应用于制备硅基兼容红外半导体超薄二维结构及其阵列;提出一通用型策略,成功研制一类高品质二维材料异质结红外探测器件;国际上首次实现了工作于光纤通讯波段的二维材料异质结非易失、可编程光电存储器件;国际上率先探明二维外耳半金属新奇的光电性质,并论证了其在光(自旋)电子器件领域的重要应用。以第一作者发表SCI论文17篇,含Science子刊Science Advances (1)Advanced Materials (4)Nano Letters (4)ACS nano (1)Advanced Sciences (1);影响因子大于11的论文10篇;截止201904月,申请人的研究成果他引次数1909H因子23 (Web of Science)。所发表的第一作者论文被美国纳米技术与纳米科学网Nanowerk详细报道,被ESI收录为高被引论文,并被Adv. Funct. Mater.ACS nano Adv. Sci等国际著名期刊的综述论文和研究论文重点介绍或引用。